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纳米高k栅CMOS器件的总剂量效应及加固技术研究
纳米高k栅CMOS器件的总剂量效应及加固技术研究
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学位论文原创性声明
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不包含为获得 XXXX 大学或其他教育机构的学位或其他用途使用过的成果。
对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在论文中作了明确的说明
并表示谢意。
本人学位论文与资料若有不实,愿意承担一切相关的法律责任。
学位论文题目:纳米高
器件的总剂量效应及加固技术研究
学位论文作者签名: 日期: 年 月 日
学位论文知识产权授权书
本人完全了解学校有关保护知识产权的规定。即:研究生在校攻读学
位期间论文工作的知识产权单位为 XXXX 大学,毕业离校后,结合学位论
文研究课题发表的学术论文知识产权单位为 XXXX 大学。本人授权 XXXX
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许论文被查阅和借阅;可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库
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单位为 XXXX 大学。
涉密学位论文在解密后适用本授权书。
学位论文题目:纳米高
器件的总剂量效应及加固技术研究
学位论文作者签名: 日期: 年 月 日
作者指导教师签名:
日期: 年 月 日
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